Cultivo de cristales y preparación de obleas
El cristal se corta en obleas individuales, utilizando una hoja con incrustaciones de diamante de diámetro interior
El silicio debe someterse a una serie de pasos de purificación
para convertirse en el material monocristalino de alta calidad,
libre de defectos, necesario para la fabricación de dispositivos semiconductores.
Oxidación
El crecimiento de una capa de óxido como
resultado de la reacción del oxígeno con el material del sustrato
Oxidación húmeda
Oxidación seca
Salas limpias
Los cuartos limpios están diseñados de tal manera que la limpieza en
áreas críticas de procesamiento es mejor que en el cuarto limpio en general
Las salas blancas son fundamentales para la producción de circuitos integrados, hecho que puede ser apreciado señalando la escala de fabricación a realizar.
Manufactura de Dispositivos Microelectrónicos
Empaquetado y unión de cables
El proceso de empaquetado determina en gran medida el costo total de cada circuito integrado completo, ya que los circuitos se producen en masa en la oblea, pero luego se empaquetan individualmente
Una vez que el chip se ha adherido a su sustrato, debe conectarse eléctricamente a los cables del paquete.
Metalización y pruebas
La planarización
La producción de una superficie plana de dieléctricos entre capas, es fundamental para la reducción de los cortos metálicos y la variación del ancho de línea de la interconexión
Metalización
Los metales
se depositan mediante técnicas de deposición estándar
Litografía
Proceso mediante el cual los patrones geométricos que definen los dispositivos se transfieren a la superficie del sustrato
BISTURÍ
Litografía por haz de electrones y haz de iones
Litografía de rayos X
Litografía ultravioleta extrema
Litografía de inmersión
División de tono
Fotolitografía
Deposición de película
Las películas se utilizan ampliamente en
el procesamiento de dispositivos microelectrónicos, en particular los tipos aislantes y conductores
Epitaxia
ocurre cuando la
orientación del cristal del depósito está
relacionada directamente con la orientación del cristal en el sustrato cristalino subyacente
La deposición al vacío
La pulverización
