Transistor IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada)

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Transistor IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada)

Name the character


Type in the name of the character whose change throughout the story you are going to analyze.

Example: Nick Carraway.

Usos del IGBT

Character's behavior

Think of the character's behavior at the beginning of the story and look for the way it changed throughout the story.

Vehículos eléctricos

Paneles y generadores solares

Sistemas de aire acondicionado

Tareas de sensado y control de temperatura

Control de la tracción en motores

CAPACIDADES

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida manteniendo VGS a tensión constante).

Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida manteniendo VDS a tensión constante).

CARACTERISTICAS

En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del límite (siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona dederivada positiva.

La tensión VDS apenas varía con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en paralelo fácilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.

VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).

Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.

VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.

IDmax Limitada por efecto Latch-up.

TOPOLOGIA

Character's feelings

Focus on the way the character's feelings are presented at the beginning and at the end of the story, while explaining why they have changed.

El uso de este dispositivo elimina la necesidad de instalar una fuente aislada de potencia. Esto se traduce en un aumento de la eficiencia y reducción del número de componentes del sistema.

Durante un semiciclo positivo en las señales de salida, tienen forma sinusoidal, mientras que las de entrada se mantienen en conducción.

Las frecuencias de conmutación de los IGBT son de 20 kHz y 60 Hz. Esta técnica de conmutación produce una señal de 60 Hz senoidal a través de la capacitancia y la inductancia.

Conversores electrónicos de potencia

Title


Type in the title and author of the literary work that introduces the character.

Example: The Great Gatsby, by F. Scott Fitzgerald.